【デュアルNチャネル・ロジックレベルMOSFET】DMN26D0UDJ-7

Diodes Incorporated製のデュアルNチャネル・エンハンスメント型MOSFETです。1つの小型パッケージ内に2個のNチャネルMOSFETを搭載しており、限られた基板スペースで複数のスイッチング機能を構成できる製品です。 ドレイン・ソース間電圧は最大20V、連続ドレイン電流は最大240mAに対応しています。また、ゲートしきい値電圧が最大1.05Vと低く、1.8Vや2.5Vなどの比較的低いゲート駆動電圧でも使用しやすい設計です。オン抵抗は4.5V駆動時で最大3Ω、2.5V駆動時で最大4Ω、1.8V駆動時で最大6Ωとなっています。 低入力容量と高速スイッチング特性も備えているため、DC-DCコンバータ、電源管理回路、ロードスイッチ、各種低電圧スイッチング回路などに適しています。SOT-963の超小型面実装パッケージを採用しているため、携帯機器や小型電子機器など、実装スペースが限られる用途にも適したMOSFETです。 商品詳細 型番：DMN26D0UDJ-7 メーカー：Diodes Incorporated 製品カテゴリー：FET・MOSFETアレイ 製品種類：MOSFET 商品タイプ：デュアルNチャネル・エンハンスメント型MOSFET 構成：2個のNチャネルMOSFET チャネル数：2 動作モード：エンハンスメント型 ゲート方式：ロジックレベル ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：20V ゲート・ソース間電圧（VGSS）：±10V 連続ドレイン電流（ID）：240mA（VGS＝4.5V、TA＝25℃） 連続ドレイン電流（ID）：180mA（VGS＝1.8V、TA＝25℃） ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：0.45～1.05V オン抵抗（RDS(ON)）：最大3Ω（VGS＝4.5V） オン抵抗（RDS(ON)）：最大4Ω（VGS＝2.5V） オン抵抗（RDS(ON)）：最大6Ω（VGS＝1.8V） 入力容量（CISS）：約14.1pF 最大消費電力：300mW 動作温度：-55～+150℃ パッケージ：SOT-963 ピン数：6ピン 実装方式：面実装（SMD） 技術：シリコンMOSFET ゲート：ESD保護 用途：DC-DCコンバータ、電源管理、ロードスイッチ、低電圧スイッチング回路など 包装：テープ＆リール 標準包装数量：10,000個/リール