【デュアルNチャネル小信号MOSFET】L2N7002DW1T1G

Leshan Radio Company, Ltd.製のデュアルNチャネル小信号MOSFETです。 2個のNチャネルMOSFETを1つの小型パッケージに集積した製品で、電子回路のスイッチングや信号制御に適しています。ドレイン・ソース間電圧は最大60V、連続ドレイン電流は1素子あたり115mAに対応しています。 ゲートしきい値電圧は1.0～2.0Vで、低電圧信号によるスイッチング制御に利用できます。オン抵抗は最大7.5Ωで、5Vまたは10Vのゲート駆動条件で規定されています。 6ピンのSC-88パッケージを採用した表面実装型部品で、省スペースが求められる制御回路や小型電子機器に適しています。 商品詳細 ・メーカー：Leshan Radio Company, Ltd.・製品カテゴリー：トランジスタ・部品の種類：MOSFET・商品タイプ：デュアルNチャネル小信号MOSFET・素子数：2・チャンネル極性：Nチャネル・ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：60V・連続ドレイン電流（ID）：115mA（1素子あたり）・ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V・ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：1.0～2.0V・オン抵抗（RDS(on)）：最大7.5Ω・オン抵抗測定条件：VGS＝10V、ID＝500mAではなく、規定された特性表の条件を確認して使用・入力容量（Ciss）：最大50pF・出力容量（Coss）：最大25pF・逆伝達容量（Crss）：最大5pF・動作温度範囲：-55～+150℃・パッケージ：SC-88・端子数：6ピン・実装方式：表面実装（SMD/SMT）・RoHS：対応・ハロゲンフリー：対応