
ROHM Semiconductor
【シリアルEEPROM】BR93L56RFVM-WTR
型番/Part Number: BR93L56RFVM-WTR
環境規制 (RoHS) 適合品
ROHM Co., Ltd.製の2Kbit低消費電力シリアルEEPROMです。
Microwire方式の3線式シリアルインターフェースを採用し、128ワード×16ビットの構成でデータを保存できます。電源を切ってもデータを保持できる不揮発性メモリで、機器の設定値や制御データなどの保存に適しています。
1.8~5.5Vの幅広い電源電圧に対応し、最大2MHzのクロック周波数で通信できます。最大100万回のデータ書き換えに対応し、データ保持期間は最大40年とされています。
MSOP8パッケージを採用した小型の表面実装部品で、限られた基板スペースに実装するメモリ用途に適しています。
商品詳細
・メーカー:ROHM Co., Ltd.・シリーズ:BR93L-Wシリーズ・製品カテゴリー:半導体メモリ・部品の種類:不揮発性メモリ・商品タイプ:シリアルEEPROM・メモリ容量:2Kbit・メモリ構成:128ワード×16ビット・インターフェース:Microwire(3線式シリアル)・動作電源電圧:1.8~5.5V・最大クロック周波数:2MHz・最大動作電流:3mA・最大スタンバイ電流:2µA・最大書き込み時間:5ms・書き換え回数:最大100万回・データ保持期間:最大40年・動作温度範囲:-40~+85℃・パッケージ:MSOP8・端子数:8ピン・パッケージサイズ:約4.0×2.9mm・実装方式:表面実装(SMD/SMT)・RoHS:対応
13+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
ROHM Co., Ltd.製の2Kbit低消費電力シリアルEEPROMです。
Microwire方式の3線式シリアルインターフェースを採用し、128ワード×16ビットの構成でデータを保存できます。電源を切ってもデータを保持できる不揮発性メモリで、機器の設定値や制御データなどの保存に適しています。
1.8~5.5Vの幅広い電源電圧に対応し、最大2MHzのクロック周波数で通信できます。最大100万回のデータ書き換えに対応し、データ保持期間は最大40年とされています。
MSOP8パッケージを採用した小型の表面実装部品で、限られた基板スペースに実装するメモリ用途に適しています。
商品詳細
・メーカー:ROHM Co., Ltd.
・シリーズ:BR93L-Wシリーズ
・製品カテゴリー:半導体メモリ
・部品の種類:不揮発性メモリ
・商品タイプ:シリアルEEPROM
・メモリ容量:2Kbit
・メモリ構成:128ワード×16ビット
・インターフェース:Microwire(3線式シリアル)
・動作電源電圧:1.8~5.5V
・最大クロック周波数:2MHz
・最大動作電流:3mA
・最大スタンバイ電流:2µA
・最大書き込み時間:5ms
・書き換え回数:最大100万回
・データ保持期間:最大40年
・動作温度範囲:-40~+85℃
・パッケージ:MSOP8
・端子数:8ピン
・パッケージサイズ:約4.0×2.9mm
・実装方式:表面実装(SMD/SMT)
・RoHS:対応